对高压集成电路中的反熔丝元件进行编程的方法和装置

摘要

一种用于对功率IC器件的可编程块进行编程的方法，包括选择待编程的可编程块的反熔丝元件。所述反熔丝元件包括由介电层分隔开的第一电容性板和第二电容性板。然后电压脉冲被施加至所述功率IC器件的管脚。所述管脚被连接至高压场效应晶体管(HVFET)的漏极，所述HVFET在所述功率IC器件的正常运转模式期间经由所述管脚驱动外部负载。所述电压脉冲——其与所述反熔丝元件的第一电容性板连接——具有足够高的电位，以使得流过所述反熔丝元件的电流破坏所述介电层的至少一部分，从而将所述第一电容性板和所述第二电容性板电气短路。

主权项

一种用于对功率集成电路(IC)器件的反熔丝存储器块进行编程的方法，包括：将第一电压施加至所述功率IC的第一管脚，所述第一管脚被连接至高压输出场效应晶体管(HVFET)的漏极，并且还被连接至抽头晶体管器件的第一终端，当施加至所述第一管脚的外部电压超出所述抽头晶体管器件的夹断电压时，在第二终端处提供基本上恒定的抽头电压，所述第一电压基本上小于所述夹断电压；接通与所述反熔丝存储器块的选定的反熔丝相关联的调配MOSFET，所述选定的反熔丝包括由介电层分隔开的第一电容性板和第二电容性板，所述第一电容性板被连接至所述反熔丝存储器块的共用节点，所述第二电容性板被连接至所述调配MOSFET的漏极；施加写信号，所述写信号使得所述调配MOSFET的源极通过低阻抗被短路至地；将所述抽头晶体管器件的第二终端连接至所述共用节点；将基本上高于所述第一电压的第二电压施加至所述第一管脚，以使得编程电压被施加至所述选定的反熔丝的第一电容性板，所述编程电压足够高，以使得流过所述选定的反熔丝的电流足以破坏所述介电层的至少一部分，从而将所述第一电容性板和所述第二电容性板电气短路。