发明名称 |
用于通过APC控制策略来减少曝光场内的覆盖误差的方法及系统 |
摘要 |
通过考虑到对准控制系统中的与工具有关的变形特征记号以及与光罩有关的放置特性,可显著地增强复杂的APC策略的控制品质。可根据工具/光罩的任何组合及将要相互对准的各层,而建立各个修正数据,因而可根据从专用覆盖标记得到的标准覆盖测量数据,而修改用来控制对准处理的对准参数的各个目标值。 |
申请公布号 |
CN101535898B |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN200780032454.5 |
申请日期 |
2007.08.24 |
申请人 |
先进微装置公司 |
发明人 |
R·泽而特曼;B·舒尔茨;F·亨普尔;U·舒尔策 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F9/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种减少覆盖误差的方法,包括:产生微结构器件的第一器件层(186)及第二器件层(187)的多个不同组合的覆盖修正数据(140),该第一器件层(186)由一个或多个第一光掩膜(181)界定,该第二器件层(187)由一个或多个第二光掩膜(182)界定,该第一器件层(186)及第二器件层(187)通过使用多个光刻工具(183)而形成,该覆盖补偿数据(140)代表从对于第一光掩膜与光刻工具的每一组合以及对于第二光掩膜与光刻工具的每一组合的该第一光掩膜(181)及第二光掩膜(182)内的第一多个测量位置(181a)得到的测量数据;使用所述第一光掩膜(181)之一以及该多个光刻工具(183)之一在第一产品衬底(180)上形成该第一器件层(186);以及使用该覆盖修正数据(140)以及从其上形成有该第一层及第二层的先前被处理过的衬底的第二多个测量位置(185a)所得到的覆盖测量数据(110),将用于该多个光刻工具(183)之一的所述第二光掩膜(182)之一对准到该第一产品衬底(184)上形成的该第一器件层(186),该第二多个测量位置(185a)少于该第一多个测量位置(181a),其中,产生该覆盖修正数据(140)包括:使用不同的光刻工具/光掩膜对以形成该第一器件层及第二器件层的该多个不同组合,以及测量每一组合的该第一多个测量位置中的每一个的覆盖数据。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |