发明名称 多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法
摘要 本发明涉及一种多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法。多壳层结构X8R电容器介电陶瓷,其特征在于它由BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体和0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成,BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体与0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1,4≤x≤8。该方法制备的电容器介电陶瓷具有宽工作温度、高稳定性的特点。
申请公布号 CN102320826A 申请公布日期 2012.01.18
申请号 CN201110145367.9 申请日期 2011.05.31
申请人 武汉理工大学 发明人 郝华;熊博;肖嫚;刘韩星;曹明贺;尧中华
分类号 C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人 唐万荣
主权项 多壳层结构X8R电容器介电陶瓷,其特征在于它由BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体和0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成,BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体与0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1,4≤x≤8。
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