发明名称 |
多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种多壳层结构X8R电容器介电陶瓷及其制备方法。多壳层结构X8R电容器介电陶瓷,其特征在于它由BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体和0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成,BaTiO3-Nb2O5-Co2O3-Sm2O3-CeO2粉体与0.5BaTiO3-0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1,4≤x≤8。该方法制备的电容器介电陶瓷具有宽工作温度、高稳定性的特点。 |
申请公布号 |
CN102320826A |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201110145367.9 |
申请日期 |
2011.05.31 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
郝华;熊博;肖嫚;刘韩星;曹明贺;尧中华 |
分类号 |
C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B35/468(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
唐万荣 |
主权项 |
多壳层结构X8R电容器介电陶瓷,其特征在于它由BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体和0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体制备而成,BaTiO3‑Nb2O5‑Co2O3‑Sm2O3‑CeO2粉体与0.5BaTiO3‑0.5Bi(Mg1/2Ti1/2)O3粉体的摩尔比为x∶1,4≤x≤8。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |