| 发明名称 | 一种金属薄膜电阻结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种金属薄膜电阻结构及其制造方法，其增加一张光刻掩模板便可形成金属薄膜电阻结构，其中，金属薄膜电阻与下层金属铜互连线连接，防止了现有技术在形成上层金属铜互连线时会对金属薄膜电阻造成刻蚀损伤的问题，从而提高了所形成的金属薄膜电阻的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102324427A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110321426.3 | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 左青云;康晓旭;曾少海 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种金属薄膜电阻结构，其特征在于，包括：绝缘层，所述绝缘层中形成有下层金属铜互连线；盖帽层，所述盖帽层位于所述绝缘层及下层金属铜互连线上，所述盖帽层上形成有窗口，所述窗口露出部分绝缘层及部分下层金属铜互连线的顶壁；金属薄膜电阻，所述金属薄膜电阻位于所述窗口中。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||