集成线圈偏置的巨磁电阻磁敏传感器

摘要

本发明涉及一种集成线圈偏置的巨磁电阻磁敏传感器。传统的磁敏传感器制造工艺复杂、产品成品率低、传感灵敏度低。本发明包括四个GMR磁敏电阻组成的惠斯通电桥、集成软磁材料层及集成偏置线圈，集成软磁材料层呈环形结构，在集成软磁材料层的直径方向上开有一对间隙，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的一对电阻放置在集成软磁材料层的一个间隙中，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的另一对电阻放置在集成软磁材料层的另一个间隙中，所述的该对间隙宽度一致。集成偏置线圈环绕在集成软磁材料层上。本发明传感器尺寸小、灵敏度高、线性度好。

主权项

集成线圈偏置的巨磁电阻磁敏传感器，包括四个GMR磁敏电阻组成的惠斯通电桥、集成软磁材料层及集成偏置线圈，其特征在于：集成软磁材料层呈环形结构，在集成软磁材料层的直径方向上形成一对间隙，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的一对电阻放置在集成软磁材料层的一个间隙中，惠斯通电桥桥臂上相对位置上的另一对电阻放置在集成软磁材料层的另一个间隙中，所述的该对间隙宽度一致；集成偏置线圈环绕在集成软磁材料层上，所述的集成偏置线圈可为一个线圈，也可为串联或并联的两个或多个线圈。