电阻记忆元件及其使用方法

摘要

提供电阻变化率大、并且具有优良的记忆效果的电阻记忆元件。具备元件体(2)、和隔着元件体(2)的至少一部分对置的至少一对电极(3、4)的电阻记忆元件(1)，元件体(2)由具有通式：Ti1-xMxO2(M为Fe、Co、Ni以及Cu中的至少一种，且0.005≤x≤0.05)表示的组成的氧化物半导体构成。第一电极(3)由在与元件体(2)的界面区域能形成可显示出整流性和电阻变化特性的肖特基势垒的材料构成，第二电极(4)是由与第一电极(3)比较对于元件体(2)更得到欧姆接触的材料构成的。

主权项

一种电阻记忆元件，其具备元件体和隔着所述元件体的至少一部分对置的至少一对电极，在所述一对电极之间施加第一方向的切换电压时，在所述元件体中位于所述一对电极之间的至少一部分发生低电阻化，之后，即使除去所述第一方向的切换电压，位于所述一对电极之间的至少一部分也保持低电阻状态，另一方面，在所述一对电极之间施加与第一方向相反的第二方向的切换电压时，在所述元件体中位于所述一对电极之间的至少一部分发生高电阻化，之后，即使除去所述第二方向的切换电压，位于所述一对电极之间的至少一部分也保持高电阻状态，其中，所述元件体是由具有通式Ti1‑xMxO2所示组成的氧化物半导体构成的，所述通式中，M为Fe、Co、Ni以及Cu中的至少一种，且满足0.005≤x≤0.05。