一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法

摘要

本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。

主权项

一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法：本方法采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒；所用系统由硅钼棒加热的水平管式炉、气路系统和真空系统组成；以高纯Al粉、无水AlCl3作为Al源，高纯Mn粉作为Mn源和NH3气作为N源，将高纯Al粉、无水AlCl3和高纯Mn粉三种粉末按比例混合置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上，陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，使用机械泵和扩散泵对系统抽真空，使炉内真空度抽至9×10‑3 Pa，通入流量为200 sccm的氩气，并管式炉进行加热，当管式炉加热区的温度达到1400 ℃时，通入流量为30 sccm的氨气并保持1 h，然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变；自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。