柔性透明导电膜用金属氧化物半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种柔性透明导电膜用金属氧化物材料及其制备方法，制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于99.99％、平均粒径为0.01-100微米的ZnO、In2O3和Ga2O3的高纯粉体粉，其重量份配比为ZnO 0.5-15份；In2O3 1-10份；Ga2O3 0.5-9份。本发明是以氧化锌和三氧化二铟及三氧化二镓为主体成份生产的柔性透明导电膜用IGZO材料，用于磁控溅射生产透明导电膜的生产过程更易控制，溅射过程不需要加热就能制造出透明非结晶导电薄膜，可以方便的制造在聚氨酯等柔性基材上，而且制造的导电膜具有优良的可卷绕性能，在柔性显示器的生产中将更具有优势。

主权项

一种柔性透明导电膜用金属氧化物半导体材料，其特征在于：制备所述金属氧化物半导体材料的原料为纯度大于99.99％、平均粒径为0.01‑100微米的ZnO、In2O3和Ga2O3的高纯粉体粉，其重量份配比为ZnO 0.5‑15份；In2O31‑10份；Ga2O30.5‑9份。