发明名称 |
中子准直器及中子散射谱仪 |
摘要 |
本发明公开了一种中子准直器及中子散射谱仪。本发明涉及中子散射技术领域,解决了现有技术中在提高中子透射率的同时,抗辐照老化能力差的问题。本发明实施例提供的方案为:一种中子准直器,包括分隔片,其特征在于,所述分隔片包括载体层和中子吸收层,所述载体层为金属箔,所述中子吸收层附着于所述载体层上。本发明实施例适用于中子测量仪器等。 |
申请公布号 |
CN102324259A |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201110200109.6 |
申请日期 |
2011.07.18 |
申请人 |
中国原子能科学研究院 |
发明人 |
陈东风;杨浩智;王雨;吴展华;田庚方;吴立齐;李眉娟;刘晓龙;韩松柏;孙凯;王洪立;刘蕴韬 |
分类号 |
G21K1/02(2006.01)I;G01N23/20(2006.01)I |
主分类号 |
G21K1/02(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种中子准直器,包括框架和固定在框架上的若干层分隔片,相邻的两层分隔片之间形成中子透射通道,其特征在于,所述分隔片包括载体层和中子吸收层,所述载体层为金属箔,所述中子吸收层附着于所述载体层上。 |
地址 |
102413 北京市275信箱65分箱 |