| 发明名称 | 重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底；B.在重掺杂P型衬底上生长低阻N型外延层；C.在低阻N型外延层上生长重掺杂N型界面层，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长过程中产生的P型杂质，同时在赶气过程中通入N型掺杂气体；D.在重掺杂N型界面层上生长高阻N型外延层。本发明的高阻N型外延层厚度均匀，在距边10mm以内的电阻率稳定可控，获得了理想的扩展电阻图形(SRP)曲线，产品成品率达99％以上，能够在8寸线实行量产。 | ||
| 申请公布号 | CN102324382A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110320451.X | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 王海红;史超;何瑞;徐雷军;梁博 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 一种重掺杂P型衬底上生长高阻N型外延层的方法，包括步骤：A.提供重掺杂P型衬底(101)；B.在所述重掺杂P型衬底(101)上生长低阻N型外延层(102)；C.在所述低阻N型外延层(102)上生长重掺杂N型界面层(103)，在此过程中采用高温烘烤/低温变速赶气减少生长过程中产生的P型杂质，同时在赶气过程中通入N型掺杂气体；D.在所述重掺杂N型界面层(103)上生长高阻N型外延层(104)。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||