一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法

摘要

本发明提出一种新型碳纳米管场发射冷阴极及其制造方法，所述新型碳纳米管场发射冷阴极包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。所述方法是把传统的平面型碳纳米管生长工艺改为立体生长工艺，即采用微加工技术在碳纳米管生长基底表面制作出立体微结构，并在立体微结构表面制作单组分或复合金属功能层，使碳纳米管薄膜生长在立体微结构表面的金属功能层衬底上，在不增加阴极尺寸的条件下增加了阴极的发射区域面积，同时利用立体微结构抑制电场屏蔽效应，从而可获得更大的发射电流，并通过金属功能层改善碳纳米管和导电衬底的接触性能，使场发射可靠性和稳定性得到提高。

主权项

一种新型碳纳米管场发射冷阴极，其特征在于：包括带有表面立体微结构阵列的硅基底，在硅基底之上制备的金属功能层，以及在金属功能层上面生长的碳纳米管薄膜。