一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺

摘要

本发明属于太阳能电池制绒的技术领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，包括硅片表面预处理步骤、反应离子刻蚀(RIE)步骤、刻蚀后的硅片表面残余物去除步骤，对硅片表面进行预处理后，再在硅片表面制备纳米掩膜层，然后将具有纳米掩膜层的硅片进行反应离子刻蚀(RIE)，最后将表面残余物去除后，在硅片表面形成绒面，本发明制备的绒面可使硅片表面的反射率降低至2％以下，增加光的吸收，与传统的湿法化学腐蚀绒面技术相比，能够获得更高的电池光电转换效率，同时可降低因制绒工艺而引起的环境污染，适用于晶体硅太阳能电池工业化生产。

主权项

一种晶体硅太阳能电池干法刻蚀制绒工艺，包括硅片表面预处理步骤、反应离子刻蚀(RIE)步骤、刻蚀后的硅片表面残余物去除步骤，其特征在于，对硅片表面进行预处理后，再在硅片表面制备纳米掩膜层，纳米掩膜层为硅纳米球单分散层，然后将具有纳米掩膜层的硅片进行反应离子刻蚀(RIE)，采用含有氟离子和氯离子的反应离子刻蚀系统SF6和Cl2，反应条件为，气体：50‑100sccm的SF6和5‑10sccm的Cl2；功率：150‑200W压力：4‑10Pa；刻蚀时间：5min‑10min；最后将表面残余物去除后，在硅片表面形成绒面。