带有圆柱形进气机构的金属有机化合物化学气相沉积反应器

摘要

本发明涉及一种用于沉积半导体层的设备，包括一个围绕中心(11)基本上旋转对称设置的处理室(1)、一个基座(2)、一个处理室顶盖(3)、一个包括垂直叠置的进气室(8、9、10)的进气机构(4)，以及一个设在基座(2)下方的加热器(27)，其中，最上面的进气室(8)紧邻处理室顶盖(3)以及与输入管(14)连接，输入管(14)用于将氢化物与载气一起引入处理室(1)中，其中，最下面的进气室(10)紧邻基座(2)以及与输入管(16)连接，输入管(16)用于将氢化物与载气一起引入处理室(1)中，其中，至少一个设在最下面的进气室(10)与最上面的进气室(8)之间的中间进气室(9)与输入管(15)连接，输入管(15)用于将一种金属有机化合物引入处理室(1)中。按本发明建议，进气室(8、9、10)朝处理室(1)方向被环形壁(22、23、24)封闭，其中环形壁(22、23、24)有许多紧密并列的出气口(25)，有统一的外径，以及有基本上无凸起的、面朝处理室(1)的外壁。

主权项

一种用于沉积涂层、尤其是半导体层的设备，包括一个围绕中心(11)基本上旋转对称设置的处理室(1)，该处理室具有一个由设在水平面内的基座(2)构成的底部，一个设在所述基座(2)垂直上方的处理室顶盖(3)，一个在中心(11)处在所述基座(2)与处理室顶盖(3)之间延伸的进气机构(4)，该进气机构(4)包括垂直叠置的进气室(8、9、10)，以及一个设在所述基座(2)垂直下方用于加热基座(2)的加热器(27)，其中，在所述基座(2)上设有多个与进气机构(4)间隔设置的基片架(5)用于承接要涂层的基片(6)，其中，最上面的进气室(8)紧邻所述处理室顶盖(3)以及与输入管(14)连接，该输入管(14)用于将氢化物与载气一起引入处理室(1)中，其中，最下面的进气室(10)紧邻所述基座(2)以及与输入管(16)连接，该输入管(16)用于将氢化物与载气一起引入处理室(1)中，其中，至少一个设在最下面的进气室(10)与最上面的进气室(8)之间的中间进气室(9)与输入管(15)连接，该输入管(15)用于将金属有机化合物引入处理室(1)中，其特征为：所述进气室(8、9、10)朝处理室(1)方向被多个环形壁(22、23、24)封闭，其中，所述多个环形壁(22、23、24)有许多紧密并列的出气口(25)，有统一的外径，以及有基本上无凸起的、面朝所述处理室(1)的外壁。