| 发明名称 | 功率晶体管内集成肖特基二极管的器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种功率晶体管内集成肖特基二极管的器件及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括肖特基区域和晶体管区域，所述半导体衬底表面形成有第一n型外延层；在所述第一n型外延层内形成位于肖特基区域的肖特基沟槽；在所述肖特基沟槽的表面形成第一氧化层；在所述第一n型外延层内形成位于所述晶体管区域的晶体管沟槽；在所述晶体管沟槽表面和所述第一氧化层表面形成第二氧化层；在所述第二氧化层表面形成填充满所述肖特基沟槽和晶体管沟槽的多晶硅层；在晶体管区域形成功率晶体管。通过本发明的实施例可以提高功率晶体管内集成肖特基二极管的器件中功率晶体管的源漏击穿电压，改善源漏击穿特性。 | ||
| 申请公布号 | CN102324389A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110300212.8 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘宪周 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种功率晶体管内集成肖特基二极管的器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括肖特基区域和晶体管区域，所述半导体衬底表面形成有第一n型外延层；在所述第一n型外延层内形成位于肖特基区域的肖特基沟槽；在所述肖特基沟槽的表面形成第一氧化层；在所述第一n型外延层内形成位于所述晶体管区域的晶体管沟槽；在所述晶体管沟槽表面和所述第一氧化层表面形成第二氧化层；在所述第二氧化层表面形成填充满所述肖特基沟槽和晶体管沟槽的多晶硅层；在晶体管区域形成功率晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||