发明名称 |
抵消阻抗漂移效应的存储器读取方法 |
摘要 |
披露了用于读取相变存储器的减轻阻抗漂移的技术。一种构想的方法包括将多个电输入信号施加于存储单元。所述方法包括测量来自所述存储单元的、从所述多个电输入信号产生的多个电输出信号。所述方法包括计算所述多个电输出信号的取决于所述存储单元中的非晶物质的组态的不变成分。所述方法还包括根据所述不变成分确定所述存储单元的存储状态。在本发明的一个优选实施例中,所述方法还包括将所述多个电输出信号映射到多个测量区域中的一个测量区域。所述测量区域对应于所述存储单元的存储状态。 |
申请公布号 |
CN102326206A |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201080008677.X |
申请日期 |
2010.02.12 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
M·M·弗兰切斯基尼;L·拉斯特拉斯-莫塔诺;J·P·卡里迪斯 |
分类号 |
G11C11/56(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
于静;杨晓光 |
主权项 |
一种用于操作存储单元的方法,由所述存储单元中的非晶物质的组态表示所述存储单元的存储状态,所述存储单元的阻抗在一段时间内漂移,所述方法包括:将多个电输入信号施加于所述存储单元;测量来自所述存储单元的、从所述多个电输入信号产生的多个电输出信号;计算所述多个电输出信号的取决于所述存储单元中的非晶物质的组态的不变成分,所述不变成分基本上与所述存储单元在所述一段时间内的阻抗漂移特性无关;以及根据所述不变成分确定所述存储单元的存储状态。 |
地址 |
美国纽约 |