发明名称 |
低容值突波保护器 |
摘要 |
低容值突波保护器,属于半导体器件,为低容值突波保护组件。包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。在制程中增加铜粒垫高两颗晶粒之间的距离,避免两颗晶粒之间因焊锡过多而短路,提高了良品率,良品率由71%提高到92%。集合整流与保护双重功能于一身,节约了焊接材料及成本,使用时节省了焊接空间,有效减少线路中使用组件数量。 |
申请公布号 |
CN202120904U |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201120101878.6 |
申请日期 |
2011.04.08 |
申请人 |
李安 |
发明人 |
李安 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
淄博佳和专利代理事务所 37223 |
代理人 |
王立芹 |
主权项 |
低容值突波保护器,包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。 |
地址 |
255000 山东省淄博市张店区张柳路6号 |