发明名称 低容值突波保护器
摘要 低容值突波保护器,属于半导体器件,为低容值突波保护组件。包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。在制程中增加铜粒垫高两颗晶粒之间的距离,避免两颗晶粒之间因焊锡过多而短路,提高了良品率,良品率由71%提高到92%。集合整流与保护双重功能于一身,节约了焊接材料及成本,使用时节省了焊接空间,有效减少线路中使用组件数量。
申请公布号 CN202120904U 申请公布日期 2012.01.18
申请号 CN201120101878.6 申请日期 2011.04.08
申请人 李安 发明人 李安
分类号 H01L25/07(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L25/07(2006.01)I
代理机构 淄博佳和专利代理事务所 37223 代理人 王立芹
主权项 低容值突波保护器,包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2),在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2),两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连,其特征在于:内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4),铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。
地址 255000 山东省淄博市张店区张柳路6号