| 发明名称 | 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上；一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上；一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上；一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂；一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs。 | ||
| 申请公布号 | CN102324436A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201110283050.1 | 申请日期 | 2011.09.22 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 张雨溦;张杨;曾一平 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，生长在衬底上；一插入层，生长在复合缓冲层上；一AlSb隔离层，生长在插入层上，该AlSb隔离层的厚度为<img file="FDA0000093348620000011.GIF" wi="324" he="55" />一子沟道层，生长在AlSb隔离层上；一锑化物下势垒层，生长在子沟道层上，该锑化物下势垒层的厚度为<img file="FDA0000093348620000012.GIF" wi="241" he="55" />一InAs沟道层，生长在锑化物下势垒层上，该InAs沟道层的厚度为<img file="FDA0000093348620000013.GIF" wi="270" he="55" />一锑化物隔离层，生长在InAs沟道层上，该锑化物隔离层的厚度为<img file="FDA0000093348620000014.GIF" wi="237" he="55" />一掺杂层，生长在锑化物隔离层上，该掺杂层是Si平面掺杂的InAs，或者是Te的δ掺杂，其厚度为<img file="FDA0000093348620000015.GIF" wi="238" he="55" />一上势垒层，生长在掺杂层上，该上势垒层是由AlSb层和InAlAs层组成的复合势垒层，该上势垒层的厚度为<img file="FDA0000093348620000016.GIF" wi="305" he="52" />其In的摩尔含量为0.2-0.6；一InAs帽层，生长在上势垒层上，该InAs帽层是非有意掺杂的InAs，或者是n型掺杂的InAs，其厚度为<img file="FDA0000093348620000017.GIF" wi="245" he="50" /> | ||
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