发明名称 |
基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法及其装置 |
摘要 |
一种材料表面处理技术领域的基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法及其装置,通过红外增强CCD摄像机拍摄熔覆过程中的熔池图像并转换为温度场图像后得到实际熔池尺寸数据,根据设定熔池尺寸与实际熔池尺寸的差值作为偏差信号,采用PID算法对激光功率进行反馈控制,通过对设定熔池大小的调整实现稀释率调控。本发明使得用母材熔化的面积在激光熔覆涂层中所占的百分比在基板表面每一点相当,且激光熔覆时稀释率的调控变得简单、容易、可靠,而且避免了工件冷热状态差异等因素对稀释率的影响,使得基板表面熔覆涂层的各点的稀释率保持均匀一致。 |
申请公布号 |
CN102323756A |
申请公布日期 |
2012.01.18 |
申请号 |
CN201110235085.8 |
申请日期 |
2011.08.16 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
李铸国;黄坚;张轲;朱彦彦;李瑞峰 |
分类号 |
G05B13/04(2006.01)I;C23C24/10(2006.01)I |
主分类号 |
G05B13/04(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理 |
主权项 |
一种基于激光熔覆的稀释率均匀性控制方法,其特征在于,通过红外增强CCD摄像机拍摄熔覆过程中的熔池图像并转换为温度场图像后得到实际熔池尺寸数据,根据设定熔池尺寸与实际熔池尺寸的差值作为偏差信号,采用PID算法对激光功率进行反馈控制,通过对设定熔池大小的调整实现稀释率调控。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |