发明名称 | 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯 | ||
摘要 | 采用一种发光二极管(1),是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失,并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管,其特征在于,具备:包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3),在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。 | ||
申请公布号 | CN102326268A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
申请号 | CN201080008276.4 | 申请日期 | 2010.01.21 |
申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 竹内良一;村木典孝 |
分类号 | H01L33/46(2006.01)I;H01L33/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/46(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
主权项 | 一种发光二极管,其特征在于:具备包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板,在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。 | ||
地址 | 日本东京都 |