发明名称 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯
摘要 采用一种发光二极管(1),是能够在封装内减少从LED芯片的发光的损失,并且能够提高从封装取出光的光取出效率的高亮度发光二极管,其特征在于,具备:包含具有发光层(9)的发光部(8)的化合物半导体层(2)以及基板(3),在基板(3)的侧面设置有比基板(3)反射率高的外部反射层(4)。
申请公布号 CN102326268A 申请公布日期 2012.01.18
申请号 CN201080008276.4 申请日期 2010.01.21
申请人 昭和电工株式会社 发明人 竹内良一;村木典孝
分类号 H01L33/46(2006.01)I;H01L33/30(2006.01)I 主分类号 H01L33/46(2006.01)I
代理机构 北京市中咨律师事务所 11247 代理人 段承恩;杨光军
主权项 一种发光二极管,其特征在于:具备包含具有发光层的发光部的化合物半导体层和基板,在所述基板的侧面设置有比该基板反射率高的外部反射层。
地址 日本东京都