多晶硅生产方法及其装置

摘要

本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种多晶硅生产方法及其装置。本发明中，包含两条工艺线，工艺线I：SiCl4和H2按一定摩尔配比，生成硅Si和氯化氢HCl；工艺线II：SiHCl3和H2按一定摩尔配比，生成Si、HCl和SiCl4。由于直接利用副产物SiCl4作为生产原料，降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题，进一步有效降低了多晶硅生产厂家的生产成本。而且，当硅棒的直径达到预设门限Do时，切换到第二条工艺线，有效降低了多晶硅生产电耗，进一步地，有效增加了硅棒生长直径，提高多晶硅生产效率。

主权项

一种多晶硅生产方法，其特征在于，包含以下步骤：将SiCl4和H2按预设的第一摩尔配比比例反应得到Si和HCl，得到的所述Si沉积在硅芯电极上，反应所需的温度通过启动加热所述硅芯电极得到；当所述硅芯电极上的Si沉积至硅棒的直径达到预设门限Do时，停止所述SiCl4和H2的反应，利用所述硅芯电极的残余温度，将SiHCl3和H2按预设的第二摩尔配比比例反应得到Si、HCl和SiCl4，由SiHCl3和H2反应得到的Si继续沉积在所述硅芯电极上。