| 发明名称 | 电磁辐射传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体传感器(100)的方法，包括：提供基体(102)；在基体上形成反射层(104)；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层(106)；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚(110)的吸收体；以及移除牺牲层。 | ||
| 申请公布号 | CN102326255A | 申请公布日期 | 2012.01.18 |
| 申请号 | CN201080008386.0 | 申请日期 | 2010.01.06 |
| 申请人 | 罗伯特·博世有限公司 | 发明人 | M·利热 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张文达 |
| 主权项 | 一种形成半导体传感器的方法，其包括：提供基体；在基体上形成反射层；在反射层上形成牺牲层；在牺牲层上形成厚度小于约50nm的吸收体层；在吸收体层中形成一体地具有至少一个悬伸支脚的吸收体；以及移除牺牲层。 | ||
| 地址 | 德国斯图加特 | ||