一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法

摘要

本发明公开一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法，其特征在于：在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线；利用所述负载传输线的力学特性与电学特性之间的关系确定RF MEMS器件封装热应变。本发明采用微波测量手段测量RF MEMS器件封装热应变，测试单元的制作与RF MEMS器件的制作工艺兼容，可以同步进行。

主权项

一种射频微机电系统器件封装热应变的测量方法，其特征在于：在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线；利用所述负载传输线的力学特性与电学特性之间的关系确定RF MEMS器件封装热应变，具体包含以下步骤：(1)在基片的指定位置与RF MEMS器件同步制作一组或多组测试单元，所述测试单元为由高阻抗共面波导和周期性跨接其上的若干双端固支梁组成的负载传输线，双端固支梁的数目和分布周期根据测量要求而定；(2)测量所述测试单元封装前的相移特性，作为测量基准；(3)完成器件封装；(4)测量所述测试单元封装后的相移特性；(5)计算器件工作频率下的相对于基准相移的相移变化量；(6)根据封装前后测试单元的相移变化量计算其所在位置的应变。