一种自对准的U型凹槽制造方法

摘要

本发明属于半导体芯片技术领域，具体为一种自对准的U型沟槽制造方法。包括：以氧化硅为掩膜刻蚀半导体衬底；形成氮化硅侧墙；在暴露的半导体衬底上生长氧化硅；剥除氮化硅侧墙；以氧化硅为掩膜刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。本发明采用自对准的技术来制造U形沟槽，可以降低图形的对准失配，提高产品的制造良率，特别适用于隧穿晶体管的制造。

主权项

一种自对准的U型沟槽制造方法，具体步骤包括：提供一个半导体衬底；在所述半导体衬底上氧化形成第一层氧化硅薄膜；刻蚀部分所述第一层氧化硅薄膜暴露出半导体衬底,并继续刻蚀暴露出的半导体衬底；淀积一层氮化硅薄膜；刻蚀所述的氮化硅薄膜形成氮化硅侧墙,并暴露出半导体衬底；进行氧化,在所述的暴露的半导体衬底上氧化形成第二层氧化硅薄膜；去除所述的氮化硅侧墙；然后以第一层和第二层氧化硅薄膜为掩膜，采用各向同性的刻蚀技术刻蚀暴露出的半导体衬底，接着使用各向异性的刻蚀技术继续刻蚀暴露出的半导体衬底形成器件的U型沟槽。