PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP CHIMIO-SENSIBLE ET TRANSISTOR AINSI OBTENU

摘要

Procédé de fabrication d'un transistor à effet de champ notamment d'un transistor à effet de champ chimio-sensible pour un détecteur de gaz. Pour réduire le nombre de techniques d'élaboration et de matériaux utilisables ainsi que pour augmenter les possibilités de variations dans l'ordre des opérations à effectuer, dans le cadre du procédé on développe une couche de protection d'isolation de porte (3) qui protège la couche d'isolation de porte (2) dans la suite du traitement contre l'influence de l'environnement ; avant de réaliser une couche d'électrode de porte on l'enlève partiellement ou totalement. L'invention concerne également un tel transistor à effet de champ et son utilisation dans un détecteur de gaz.