| 摘要 |
<p>Es wird ein Leuchtdiodenchip angegeben, mit - einer n-leitenden Halbleiterschicht (3), - einer p-leitenden Halbleiterschicht (4), - einem aktiven Bereich (2) zwischen der n-leitenden Halbleiterschicht (3) und der p-leitenden Halbeiterschicht (4), - einer Seitenfläche (14), welche die n-leitende Halbleiterschicht (3), die p-leitende Halbleiterschicht (4), und den aktiven Bereich (2) in einer lateralen Richtung begrenzt, und - einem Dotierbereich (1), in dem ein Dotierstoff in ein Halbleitermaterial des Leuchtdiodenchips eingebracht ist, und/oder - einem neutralisierten Bereich (1), wobei - der Dotierbereich (1) und/oder der neutralisierte Bereich (1) an der Seitenfläche (14) zumindest im Bereich des aktiven Bereichs ausgebildet ist, und - der Leuchtdiodenchip im Betrieb zur Abstrahlung von inkohärenter elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist.</p> |
