| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Korrigieren einer Mehrzahl von Fehlern einer photolithographischen Maske, umfassend das Optimieren erster Parameter einer Abbildungstransformation für die photolithographische Maske und zweiter Parameter für einen Laserstrahl, der lokal auf die photolithographische Maske gerichtet wird, und Korrigieren der Mehrzahl der Fehler durch Anwenden einer Abbildungstransformation unter Verwendung optimierter erster Parameter und lokales Richten des Laserstrahls auf die photolithographische Maske unter Verwendung optimierter zweiter Parameter, wobei die ersten und die zweiten Parameter gleichzeitig in einem gemeinsamen Optimierungsprozess optimiert werden. |
