| 主权项 |
一种针对具有多重分离电源之积体电路的静电防护电路，其连接于一分离电源之一介面电路的一讯号线与一电源线之间，该静电防护电路包含：一P型金氧半场效电晶体，耦接于一第一电源域之一第一电路及一第二电源域之一第二电路间；该P型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该P型金氧半场效电晶体之一闸极系耦接至该第二电源域之一正电源线；该P型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该第二电源域之一负电源线；该P型金氧半场效电晶体之一基极系耦接至该连接点。如申请专利范围第1项所述之静电防护电路，其中该P型金氧半场效电晶体之该闸极系透过一电阻耦接至该正电源线。如申请专利范围第1项所述之静电防护电路，进一步包含：一N型金氧半场效电晶体，该N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该连接点；该N型金氧半场效电晶体之一闸极、一源极以及一基极系耦接至该第二电源域之该负电源线。如申请专利范围第3项所述之静电防护电路，其中该N型金氧半场效电晶体之该闸极系透过一电阻耦接至该负电源线。如申请专利范围第1项所述之静电防护电路，进一步包含：一N型金氧半场效电晶体，该N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该第二电源域之该正电源线；该N型金氧半场效电晶体之一闸极和一源极系耦接至该连接点；该N型金氧半场效电晶体之一基极系耦接至该第二电源域之一负电源线。如申请专利范围第5项所述之静电防护电路，其中该N型金氧半场效电晶体之该闸极系透过一电阻耦接至该连接点。如申请专利范围第1项所述之静电防护电路，其中该P型金氧半场效电晶体之该汲极系透过一第一电阻耦接至该第二电源域之该负电源线；该静电防护电路进一步包含：一放电元件，该放电元件系耦接于该连接点与该第二电源域之该负电源线之间，并且具有一触发端，该触发端系耦接至该P型金氧半场效电晶体与该第一电阻间之一节点；该放电元件于一正常操作状况中被关闭，并于一静电放电状况中被该P型金氧半场效电晶体触发。如申请专利范围第7项所述之静电防护电路，其中该放电元件系一N型金氧半场效电晶体，并且该N型金氧半场效电晶体之一闸极为该触发端。如申请专利范围第7项所述之静电防护电路，其中该放电元件系一N型金氧半场效电晶体，该N型金氧半场效电晶体之一基极为该触发端，并且该N型金氧半场效电晶体之一闸极系透过一第二电阻耦接至该第二电源域之该负电源线。如申请专利范围第7项所述之静电防护电路，其中该放电元件系一NPN型BJT或一P型基体触发矽控整流器。一种针对具有多重分离电源之积体电路的静电防护电路，其连接于一分离电源之一介面电路的一讯号线与一电源线之间，该静电防护电路包含：一侦测单元，该侦测单元系设置于一第一电源域中；以及一放电单元，该放电单元系设置于一第二电源域中并系耦接至该侦测单元；该放电单元于一正常操作状况中被关闭，并于一静电放电状况中被该侦测单元触发。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该侦测单元包含：一第一电阻；一电容，该电容与该第一电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间；以及一P型金氧半场效电晶体，该P型金氧半场效电晶体之一闸极系耦接至该电容与该电阻间之一节点；该P型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至该第一电源域之该第一正电源线；该P型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至并系用以触发该放电单元。如申请专利范围第12项所述之静电防护电路，其中该第二电源域具有一第二正电源线和一第二负电源线，一第一电路系设置于该第一电源域中，一第二电路系设置于该第二电源域中，并且该放电单元包含：一第二电阻；一第一N型金氧半场效电晶体，该第一N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该第一N型金氧半场效电晶体之一闸极系耦接至该P型金氧半场效电晶体之该汲极；该第一N型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至该第二负电源线；以及一第二N型金氧半场效电晶体，该第二N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该P型金氧半场效电晶体之该汲极；该第二N型金氧半场效电晶体之一闸极系透过该第二电阻耦接至该第二正电源线；该第二N型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至该第二负电源线。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该侦测单元包含：一第一电阻；一电容，该电容与该第一电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间；以及一触发元件，该触发元件具有一正电源端、一负电源端、一输入端以及一输出端，该正电源端系耦接至该第一正电源线，该负电源端系耦接至该第一负电源线，该输入端系耦接至该电容与该第一电阻间之一节点，该输出端系耦接至并系用以触发该放电单元。如申请专利范围第14项所述之静电防护电路，其中该触发元件为一反相器、具有M个输入端之一NAND逻辑闸，或是具有N个输入端之一NOR逻辑闸，该M个输入端彼此耦合，该N个输入端亦彼此耦合，N与M皆为大于1的正整数。如申请专利范围第14项所述之静电防护电路，其中该第二电源域具有一第二正电源线和一第二负电源线，一第一电路系设置于该第一电源域中，一第二电路系设置于该第二电源域中，并且该放电单元为一N型金氧半场效电晶体；该N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该N型金氧半场效电晶体之一闸极系耦接至该触发元件之该输出端；该N型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至该第二负电源线。如申请专利范围第14项所述之静电防护电路，其中该第二电源域具有一第二正电源线和一第二负电源线，一第一电路系设置于该第一电源域中，一第二电路系设置于该第二电源域中，并且该放电单元为一N型金氧半场效电晶体；该N型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该N型金氧半场效电晶体之一基极系耦接至该触发元件之该输出端；该N型金氧半场效电晶体之一闸极系透过一第二电阻耦接至该第二负电源线；该N型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至该第二负电源线。如申请专利范围第14项所述之静电防护电路，其中该放电单元为一NPN型BJT或一P型基体触发矽控整流器。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该第二电源域具有一第二负电源线，一第一电路系设置于该第一电源域中，一第二电路系设置于该第二电源域中，该侦测单元包含：一电阻；以及一电容，该电容与该电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间；并且该放电单元包含：一P型金氧半场效电晶体，该P型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该P型金氧半场效电晶体之一闸极系耦接至该电容与该电阻间之一节点；该P型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该第二负电源线。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该第二电源域具有一第二正电源线及一第二负电源线，一第一电路系设置于该第一电源域中，一第二电路系设置于该第二电源域中，该侦测单元包含：一第一电阻；以及一电容，该电容与该第一电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间；并且该放电单元包含：一第二电阻；以及一P型金氧半场效电晶体，该P型金氧半场效电晶体之一源极系耦接至用以连接该第一电路与该第二电路之一连接点；该P型金氧半场效电晶体之一闸极系透过该第二电阻耦接至该第二正电源线；该P型金氧半场效电晶体之一基极系耦接至该电容与该第一电阻间之一节点；该P型金氧半场效电晶体之一汲极系耦接至该第二负电源线。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该侦测单元包含一电阻和一电容，该电容与该电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间，并且该放电单元包含一PNP型BJT。如申请专利范围第11项所述之静电防护电路，其中该第一电源域具有一第一正电源线和一第一负电源线，该侦测单元包含一电阻和一电容，该电容与该电阻系串接于该第一正电源线和该第一负电源线之间，并且该放电单元包含一N型基体触发矽控整流器。 |
