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一种场发射像素管，其包括：一壳体；及多个显示像素单元间隔设置于该壳体内，所述壳体包括一出光部；其改良在于，每个显示像素单元包括一阴极，至少一阳极，以及至少一萤光粉层，该阴极包括一阴极支撑体与至少一个阴极发射体，该阴极发射体一端与阴极支撑体电连接，另一端与阳极对应设置，该阳极为金属杆并包括一端面，该端面正对于所述壳体的所述出光部，该萤光粉层设置于阳极端面上。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的场发射像素管中，多个显示像素单元线性排列或按一定的阵列排列。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的场发射像素管中，阳极与阴极发射体数量相同，且，每个阴极发射体与一阳极对应设置。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的萤光粉层为白色萤光粉层、红色萤光粉层、绿色萤光粉层或蓝色萤光粉层。如申请专利范围第4项所述的场发射像素管，其中，每个显示像素单元包括三个阳极，且，三个阳极上分别设置有红色萤光粉层、绿色萤光粉层和蓝色萤光粉层。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的金属杆的直径为100微米至1厘米。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的端面为抛光的平面、半球面、球面、锥面或凹面。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的阴极发射体包括一电子发射端，该电子发射端为阴极发射体远离阴极支撑体的一端。如申请专利范围第8项所述的场发射像素管，其中，所述的电子发射端正对阳极端面设置、斜对阳极端面设置或设置在阳极端面附近。如申请专利范围第9项所述的场发射像素管，其中，所述的电子发射端与阳极端面的距离小于5毫米。如申请专利范围第8项所述的场发射像素管，其中，所述的电子发射端包括多个突出的场发射尖端。如申请专利范围第11项所述的场发射像素管，其中，所述的场发射尖端的顶端突出有一根奈米碳管。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的阴极发射体为一奈米碳管长线、单根奈米碳管或单根奈米碳纤维。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的壳体为一中空透明的圆柱体、立方体或三棱柱。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的壳体为一中空透明的V形管、Z形管、W形管或S形管。如申请专利范围第1项所述的场发射像素管，其中，所述的场发射像素管进一步包括一吸气剂位于壳体内。 |
