发明名称 整流晶片端子
摘要
申请公布号 TWM420835 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW100215362 申请日期 2011.08.18
申请人 嵩熔精密工业股份有限公司 发明人 黄文火
分类号 H01L23/488 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 黄志扬 台北市中山区长安东路1段23号10楼之1
主权项 一种整流晶片端子,其包括:一底座,其内部具有一组装平台,以及一环绕该组装平台的外环部,该组装平台与该外环部间设有一间隔区段,该外环部面向该组装平台的壁面延伸出一第一缓冲面与一第二缓冲面,该第一缓冲面与第二缓冲面高度不同,该组装平台面向该外环部的壁面延伸出高度不同的第三缓冲面与第四缓冲面,且该组装平台与该间隔区段底部之间设有至少一卡勾部;一整流晶片,系装设于该组装平台,该整流晶片于周缘设有一绝缘部;一导电元件,具有设置于该整流晶片上的一基部,该基部与该整流晶片接触面延伸出向上渐缩的一导流部,该导流部至少具有相互平行的二导流面;一套环,装设于该底座之端缘并于内部容设一封装材料,该套环上下端缘皆具有与该外环部相应的接合部。如申请专利范围第1项所述的整流晶片端子,其中该绝缘部系为一种绝缘胶。如申请专利范围第1项所述的整流晶片端子,其中该导流部上设有一缓冲区段。如申请专利范围第3项所述的整流晶片端子,其中该缓冲区段可为排列紧密之螺纹。如申请专利范围第3项所述的整流晶片端子,其中该缓冲区段可为一距离间隔排列之螺纹,该距离之外径系小于该导电元件之外径。如申请专利范围第1项所述的整流晶片端子,其中该套环内缘为弧面。如申请专利范围第1项所述的整流晶片端子,其中该套环内缘为斜面。如申请专利范围第1项所述的整流晶片端子,其中该底座设有一握持部,该握持部环设复数间隔排列之凸纹。
地址 新竹县芎林乡五和街223号