发明名称 镀膜设备及其镀膜功率传导头
摘要
申请公布号 TWM420539 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW100211625 申请日期 2011.06.24
申请人 宇通光能股份有限公司 发明人 阮五福
分类号 C25D17/10 主分类号 C25D17/10
代理机构 代理人 许世正 台北市信义区忠孝东路5段410号4楼
主权项 一种镀膜设备,其包含:一反应腔体,具有一反应腔室,该反应腔室内的相对两侧具一电极板及一承载板;一频率产生器,位于该反应腔室外;一气体供应器,位于该反应腔室外;以及一镀膜功率传导头,设置于该反应腔体,该镀膜功率传导头包含:一本体,具有一表面,该本体连接该电极板、该频率产生器及该气体供应器;以及一阻抗层,设置于该表面上。如请求项第1项所述之镀膜设备,其中该镀膜功率传导头的该本体之材质为包含铝(Al)、镁(Mg)及铬(Cr)的铝合金。如请求项第1项所述之镀膜设备,其中该镀膜功率传导头的该阻抗层之材质为氧化铝。如请求项第1项所述之镀膜设备,其中该镀膜功率传导头的该阻抗层的厚度范围为1μm至10μm。如请求项第1项所述之镀膜设备,其中该镀膜功率传导头的该本体包含一贯通孔以及相对的一功率输出端及一功率输入端,该功率输出端上具有一螺纹,该贯通孔由该功率输出端贯穿至该功率输入端,该功率输出端连接该电极板,该功率输入端连接该频率产生器及该气体供应器。一种镀膜功率传导头,其包含:一本体,具有一表面;以及一阻抗层,设置于该表面上。如请求项第6项所述之镀膜功率传导头,其中该本体之材质为包含铝(Al)、镁(Mg)及铬(Cr)的铝合金。如请求项第6项所述之镀膜功率传导头,其中该阻抗层之材质为氧化铝。如请求项第6项所述之镀膜功率传导头,其中该阻抗层的厚度范围为1μm至10μm。如请求项第6项所述之镀膜功率传导头,其中该本体包含一贯通孔以及相对的一功率输出端及一功率输入端,该功率输出端上具有一螺纹,该贯通孔由该功率输出端贯穿至该功率输入端。
地址 台南市新市区大业一路9号