| 主权项 |
一种双层介电层的制造方法，适用于一基底之上，该方法至少包含：形成一低介电系数材质层于该基底之上；以适用于形成该低介电系数材质层之复数种前驱物气体的其中部份所形成的电浆继续形成该低介电系数材质层于该基底之上，且同时利用该电浆对该低介电系数材质层进行后处理；以及形成一介电层于该低介电系数材质层之上。如申请专利范围第1项所述之双层介电层的制造方法，其中该些前驱物中至少包括碳氢矽氧化合物。如申请专利范围第2项所述之双层介电层的制造方法，其中该些前驱物中至少包括氦气。如申请专利范围第3项所述之双层介电层的制造方法，其中该些前驱物中至少包括一氧化剂。如申请专利范围第4项所述之双层介电层的制造方法，其中该氧化剂可以为一氧化碳或二氧化碳。如申请专利范围第4项所述之双层介电层的制造方法，其中该些前驱物中至少包括一惰性气体。如申请专利范围第1项所述之双层介电层的制造方法，其中该惰性气体可以为氮气。如申请专利范围第1项所述之双层介电层的制造方法，其中该电浆系选自于射频电浆、微波电浆、电子回旋共振电浆、诱发耦合电浆及其任意组和所组成之族群。 |
