| 主权项 |
一种画素结构，包括：一薄膜电晶体，具有一闸极、一源极及一汲极；一画素电极，与该汲极耦接；以及一扫描线，包括：一第一扫描金属层，连接该闸极；一第一扫描绝缘层，设置于该第一扫描金属层上；一第二扫描金属层，设置于该第一扫描绝缘层上；一第二扫描绝缘层，设置于该第二扫描金属层上；及一第三扫描金属层，藉由至少一个接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第三扫描金属层藉由一第一接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之一端。如申请专利范围第2项所述之画素结构，其中该第三扫描金属层更藉由一第二接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之另一端。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第一扫描绝缘层及该第二扫描绝缘层分别具有一第一接触孔及一第二接触孔，该第三扫描金属层分别藉由该第一接触孔及该第二接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之一端。如申请专利范围第4项所述之画素结构，其中该第一扫描绝缘层及该第二扫描绝缘层更分别具有一第三接触孔及一第四接触孔，该第三扫描金属层分别藉由该第三接触孔及该第四接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之另一端。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第二扫描金属层之宽度小于该第一扫描金属层之宽度，该第二扫描金属层之长边与该第一扫描金属层之长边相隔一距离。如申请专利范围第6项所述之画素结构，其中该距离之范围系位于0μm至3μm之间。如申请专利范围第1项所述之画素结构，其中该第三扫描金属层与该画素电极系为相同材料。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包括一非晶矽(amorphous silicon)层设置于该第一扫描绝缘层及该第二扫描金属层之间。如申请专利范围第9项所述之画素结构，更包括一n+层设置于该非晶矽层及该第二扫描金属层之间。如申请专利范围第1项所述之画素结构，更包括一资料线，该资料线包括：一第一资料金属层，连接该源极；一第一资料绝缘层，设置于该第一资料金属层上；一第二资料金属层，设置于该第一资料绝缘层上；及一第三资料金属层，连接该第一资料金属层及该第二资料金属层。如申请专利范围第11项所述之画素结构，其中该第三资料金属层藉由一第一接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第12项所述之画素结构，其中该第三资料金属层更藉由一第二接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第11项所述之画素结构，更包括一第二资料绝缘层设置于该第二资料金属层上，其中该第一资料绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔，该第二资料绝缘层更具有一第三接触孔，该第三资料金属层藉由该第一接触孔、该第二接触孔及该第三接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第14项所述之画素结构，其中该第一资料绝缘层更具有一第四接触孔及一第五接触孔，该第二资料绝缘层更具有一第六接触孔，该第三资料金属层藉由该第四接触孔、该第五接触孔及该第六接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第11项所述之画素结构，其中该第三资料金属层与该画素电极系为相同材料。如申请专利范围第11项所述之画素结构，更包括一非晶矽(amorphous silicon)层设置于该第一资料绝缘层及该第二资料金属层之间。如申请专利范围第17项所述之画素结构，更包括一n+层设置于该非晶矽层及该第二资料金属层之间。如申请专利范围第11项所述之画素结构，其中该第一资料金属层之宽度范围系位于6μm至12μm之间。如申请专利范围第11项所述之画素结构，其中该第一资料金属层之宽度大于该第二资料金属层之宽度。一种画素结构，包括：一薄膜电晶体，具有一闸极、一源极及一汲极；一画素电极，与该汲极耦接；以及一资料线，包括：一第一资料金属层，连接该源极；一第一资料绝缘层，设置于该第一资料金属层上；一第二资料金属层，设置于该第一资料绝缘层上；及一第三资料金属层，藉由至少一个接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层。如申请专利范围第21项所述之画素结构，其中该第三资料金属层藉由一第一接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第22项所述之画素结构，其中该第三资料金属层更藉由一第二接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第21项所述之画素结构，更包括一第二资料绝缘层设置于该第二资料金属层上，其中该第一资料绝缘层具有一第一接触孔及一第二接触孔，该第二资料绝缘层具有一第三接触孔，该第三资料金属层藉由该第一接触孔、该第二接触孔及该第三接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第24项所述之画素结构，其中该第一资料绝缘层更具有一第四接触孔及一第五接触孔，该第二资料绝缘层更具有一第六接触孔，该第三资料金属层藉由该第四接触孔、该第五接触孔及该第六接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第21项所述之画素结构，其中该第三资料金属层与该画素电极系为相同材料。如申请专利范围第21项所述之画素结构，更包括一非晶矽(amorphous silicon)层设置于该第一资料绝缘层及该第二资料金属层之间。如申请专利范围第27项所述之画素结构，更包括一n+层设置于该非晶矽层及该第二资料金属层之间。如申请专利范围第21项所述之画素结构，其中该第一资料金属层之宽度范围系位于6μm至12μm之间。一种画素结构之制造方法，包括：(a)形成一第一金属材料层于一基板上；(b)图案化该第一金属材料层，以定义一闸极及一第一扫描金属层；(c)形成一第一扫描绝缘层于该第一扫描金属层上；(d)形成一第二金属材料层于该第一扫描绝缘层上；(e)图案化该第二金属材料层，以定义一第二扫描扫描金属层；(f)形成一第二扫描绝缘层于该第二扫描金属层上；以及(g)以一第三扫描金属层藉由至少一个接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层，以定义一扫描线。如申请专利范围第30项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g1)形成一第一接触孔，该第三扫描金属层藉由该第一接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之一端。如申请专利范围第31项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g2)形成一第二接触孔，该第三扫描金属层更藉由该第二接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之另一端。如申请专利范围第30项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g3)形成一第一接触孔及一第二接触孔，该第三扫描金属层分别藉由该第一接触孔及该第二接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之一端。如申请专利范围第33项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g4)形成一第三接触孔及一第四接触孔，该第三扫描金属层分别藉由该第三接触孔及该第四接触孔连接该第一扫描金属层及该第二扫描金属层之另一端。如申请专利范围第30项所述之制造方法，其中步骤(g)中，该第三扫描金属层系与一画素电极同时定义完成。如申请专利范围第30项所述之制造方法，其中步骤(c)及步骤(d)之间更包括：(h)形成一非晶矽层于该第一扫描绝缘层上。如申请专利范围第36项所述之制造方法，其中步骤(c)及步骤(d)之间更包括：(i)形成一n+层于该非晶矽层上。如申请专利范围第30项所述之制造方法，其中步骤(b)中，更定义一第一资料金属层。如申请专利范围第38项所述之制造方法，其中步骤(c)中，一第一资料绝缘层系与该第一扫描绝缘层同时形成并覆盖于该第一资料金属层上。如申请专利范围第39项所述之制造方法，其中步骤(f)中，更包括定义一第二资料金属层。如申请专利范围第40项所述之制造方法，其中步骤(g)中，一第三资料金属层更连接该第一资料金属层及该第二资料金属层，以定义一资料线。如申请专利范围第41项所述之制造方法，其中步骤(g)中，更包括形成一第一接触孔及一第二接触孔，该第三资料金属层分别藉由该第一接触孔及该第二接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之两端。如申请专利范围第41项所述之制造方法，其中步骤(g)中，更包括形成一第一接触孔、一第二接触孔，一第四接触孔及一第五接触孔于该第一资料绝缘层上，并形成一第三接触孔及一第六接触孔于该第二资料绝缘层上，该第三资料金属层分别藉由该第一接触孔、该第二接触孔及该第三接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端，并藉由该第四接触孔、该第五接触孔及该第六接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。一种画素结构之制造方法，包括：(a)形成一第一金属材料层于一基板上；(b)图案化该第一金属材料层，以定义一闸极及一第一资料金属层；(c)形成一第一资料绝缘层于该第一资料金属层上；(d)形成一第二金属材料层于该第一资料绝缘层上；(e)图案化该第二金属材料层，以定义一第二资料金属层；(f)形成一第二资料绝缘层于该第二资料金属层上；以及(g)以一第三资料金属层藉由至少一个接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层，以定义一资料线。如申请专利范围第44项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g1)形成一第一接触孔，该第三资料金属层藉由该第一接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第45项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g2)形成一第二接触孔，该第三资料金属层更藉由该第二接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第44项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g3)形成一第一接触孔及一第二接触孔于该第一资料绝缘层上，以及形成一第三接触孔于该第二资料绝缘层上，该第三资料金属层分别藉由该第一接触孔、该第二接触孔及该第三接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之一端。如申请专利范围第47项所述之制造方法，其中步骤(g)更包括：(g4)形成一第四接触孔及一第五接触孔于该第一资料绝缘层上，以及形成一第六接触孔于该第二资料绝缘层上，该第三资料金属层分别藉由该第四接触孔、该第五接触孔及该第六接触孔连接该第一资料金属层及该第二资料金属层之另一端。如申请专利范围第44项所述之制造方法，其中步骤(g)中，其中该第三资料金属层系与一画素电极同时定义完成。如申请专利范围第44项所述之制造方法，其中步骤(c)及步骤(d)之间更包括：(h)形成一非晶矽层于该第一资料绝缘层上。如申请专利范围第49项所述之制造方法，其中步骤(c)及步骤(d)之间更包括：(i)形成一n+层于该非晶矽层上。 |
