| 主权项 |
一种形成半导体元件的方法，包括：提供一半导体晶片，包括一连接垫；在该连接垫上形成一凸块下金属层；在该凸块下金属层上形成一导电凸块；以及在该导电凸块上形成至少一保护层使该导电凸块至少被一保护层覆盖，其中该保护层系将惰性金属选择性图布在该导电凸块所形成，且该保护层仅覆盖该导电凸块之表面和该凸块下金属层的侧壁，不覆盖该导电凸块和该凸块下金属层以外的区域。如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件的方法，其中该惰性金属系为金所组成。如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件的方法，其中该导电凸块包括金、铜、铝以及镍至少其中之一。如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件的方法，其中该导电凸块包括铅锡焊点。如申请专利范围第1项所述之形成半导体元件的方法，其中导电凸块为自活化材料，因此可藉由该选择性制程涂布惰性金属于该导电凸块上。 |
