发明名称 介电质陶瓷、及使用其之积层陶瓷电容
摘要
申请公布号 TWI356048 申请公布日期 2012.01.11
申请号 TW096145761 申请日期 2007.11.30
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 铃木祥一郎
分类号 C04B35/46 主分类号 C04B35/46
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种介电质陶瓷,其系将以组成式:(Ba1-x-yCaxSny)m(Ti1-zZrz)O3表示之钙钛矿型化合物(其中前述x、y、z、m分别满足0.990≦m≦1.015、0≦x≦0.20、0.02≦y≦0.20、0≦z≦0.05)作为主成分,对于前述主成分100莫耳份包含0.5~20莫耳份RE(其中RE系选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中之至少一种)作为副成分。如请求项1之介电质陶瓷,其中在前述主成分中,前述x为0.02≦x≦0.20。如请求项1或2之介电质陶瓷,其中居里温度为130℃以上。如请求项1或2之介电质陶瓷,其中,对于前述主成分100莫耳份包含0.02~1莫耳份选自Mn及V中之至少1种作为副成分。如请求项1或2之介电质陶瓷,其中,对于前述主成分100莫耳份包含0.3~4莫耳份选自Mg、Ni、Zn中之至少1种作为副成分。如请求项1或2之介电质陶瓷,其中,对于前记主成分100莫耳份包含0.2~5莫耳份Si作为副成分。一种积层陶瓷电容,其系对于包括复数个积层之陶瓷层及沿其界面形成之复数个层状内部电极之陶瓷积层体,为了电气连接露出于前记陶瓷积层体之表面之内部电极而形成有复数个外部电极;其特征在于:前述陶瓷层包含如请求项1~6中任一项之介电质陶瓷。如请求项7之积层陶瓷电容,其中前述内部电极之主成分为Ni。
地址 日本