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一种加工奈米碳管之方法，其包括以下步骤：提供一奈米碳管阵列；于奈米碳管阵列上形成至少一保护膜片段，该保护膜片段具有至少两条相互平行之直线对边，该平行对边与奈米碳管轴向方向垂直；使奈米碳管阵列上未设置保护膜片段之部位断裂；修饰处理奈米碳管之断裂部位，从而得到长度与保护膜片段之两平行直线对边之间距相同之奈米碳管片段。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该奈米碳管阵列上形成复数个保护膜片段。如申请专利范围第2项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该复数个保护膜片段之两条平行直线对边两两相互平行。如申请专利范围第2项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该复数个保护膜片段之两条平行直线对边之间距相同。如申请专利范围第2项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该复数个保护膜片段之两条平行直线对边之间距不同。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，于奈米碳管阵列上形成保护膜片段之方法包括旋转涂覆法或沈浸法。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该保护膜片段之材质包括多晶矽或氮化矽。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，使未设置保护膜片段之部位断裂之方法系采用化学法。如申请专利范围第8项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该化学法包括氧化法、双键加成反应法或自由基加成反应法。如申请专利范围第9项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该氧化法采用臭氧为氧化剂。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该修饰断裂之奈米碳管片段之方法系采用湿式球磨研磨法。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该修饰处理断裂之奈米碳管片段之前预先将保护膜片段除去。如申请专利范围第1项所述之加工奈米碳管之方法，其中，于奈米碳管阵列上形成保护膜片段之方法包括步骤：提供一掩具，其上设置有至少一开口，该开口具有至少两条相互平行之直线对边；将该掩具设置于奈米碳管阵列上，使开口之两条平行直线对边与奈米碳管轴向方向垂直，部分奈米碳管阵列从开口中裸露出；于裸露之部分奈米碳管阵列上形成保护膜片段。如申请专利范围第13项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该开口之两条平行直线边间距与待制备之奈米碳管长度相同。如申请专利范围第13项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该开口之两条平行直线边间距相同。如申请专利范围第13项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该开口之两条平行直线边间距不同。一种加工奈米碳管之方法，其包括步骤：提供一奈米碳管，其具有第一部分表面于第二部分表面；于第一部分表面上形成至少一保护膜片段，该保护膜片段具有至少两条相互平行之直线对边，该平行对边与奈米碳管轴向方向垂直，该保护膜片段沿奈米碳管轴向方向排布，第二部分表面未形成有保护膜片段；于第二部分表面处将奈米碳管断开，获得长度与保护膜片段之两平行直线对边之间距相同之奈米碳管片段。如申请专利范围第17项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该奈米碳管上形成复数个保护膜片段，且其平行直线对边两两相互平行。如申请专利范围第18项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该复数个保护膜片段之两条平行对边间距相同。如申请专利范围第18项所述之加工奈米碳管之方法，其中，该复数个保护膜片段之两条平行对边间距不同。 |
