| 发明名称 | 超结横向扩散金属氧化物半导体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供超结LDMOS及其制造工艺，无需采用特殊工艺制作超结LDMOS，尤其是超高压LDMOS，简化制作工艺。本发明提供的一种超结LDMOS器件，包括内部设置超结结构的扩散阱，该超结结构深度小于扩散阱深度；本发明提供的一种超结LDMOS制作工艺包括：提供半导体衬底；采用光刻及高温扩散工艺，在半导体衬底中形成扩散阱；在扩散阱上方形成STI；采用离子注入工艺，在扩散阱中形成超结结构，所述超结结构深度小于扩散阱深度；通过后续常规工艺，完成超结LDMOS制作。 | ||
| 申请公布号 | CN102315273A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110298660.9 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 唐树澍 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种超结横向扩散金属氧化物半导体，其漏极漂移区包括扩散阱和超结结构，其特征在于，所述超结结构位于扩散阱上方，其深度小于扩散阱深度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||