| 发明名称 | 基于纳米线的光电子器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了包括纳米线层、光电探测器和半导体光放大器的基于纳米线的光电子器件(100，200，300，400，500)。该器件包括生长自单晶和/或非单晶表面的纳米线(114，214，324，434，436，560，562)。半导体光放大器包括充当镇流激光器以放大信号波导所携载信号的纳米线阵列。纳米线激光器和光电探测器的实施例包括能够提供不同偏振的水平和竖直纳米线(434，436，562，560)。 | ||
| 申请公布号 | CN101796646B | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN200880013724.2 | 申请日期 | 2008.04.25 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | S·-Y·王;M·S·伊斯拉姆;P·J·屈克斯;小林伸彦 |
| 分类号 | H01L31/02(2006.01)I;H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 薛峰;曹若 |
| 主权项 | 一种基于纳米线的光电子器件(400，500)，包括：第一水平表面(542)；第二水平表面(552)，其电隔离于并且面向第一水平表面；至少一根竖直纳米线(560)，其以桥接构型连接第一和第二水平表面，其中，所述竖直纳米线(i)生长自第一和第二水平表面之一或者(ii)生长自第一和第二水平表面并在第一和第二水平表面之间互连；第一竖直表面(554)；第二竖直表面(556)，其电隔离于并且面向第一竖直表面；以及至少一根水平纳米线(562)，其以桥接构型连接第一和第二竖直表面，其中，所述水平纳米线(i)生长自第一和第二竖直表面之一或者(ii)生长自第一和第二竖直表面并在第一和第二竖直表面之间互连；其中，所述水平纳米线和竖直纳米线能被选择性地电激励以分别提供水平和竖直偏振。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||