| 发明名称 | 非易失性存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件，包括：多个存储块；多个擦除检测单元，分别设置在所述多个存储块处，并被配置为各自检测相应的存储块的擦除；以及控制单元，被配置为当在存储块上执行的擦除操作的次数大于基准值时，确定所述存储块是坏块，其中在存储块上执行的擦除操作的次数是由相应的擦除检测单元检测的。 | ||
| 申请公布号 | CN102314948A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010284763.5 | 申请日期 | 2010.09.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金南经;崔正旻 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：多个存储块；多个擦除检测单元，所述多个擦除检测单元分别设置在所述多个存储块处，并被配置为各自检测相应的存储块的擦除；以及控制单元，所述控制单元被配置为当在所述多个存储块之中的存储块上执行的擦除操作的次数大于基准值时，确定所述存储块是坏决，其中在所述存储块上执行的擦除操作的次数是由相应的擦除检测单元检测的。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||