一种半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括PMOS器件，形成所述PMOS器件的步骤包括：去除所述侧墙，以形成空腔；以辅助层填充所述空腔，所述辅助层具有第一压应力。或者，形成所述PMOS器件中的栅极，所述栅极具有第二压应力；去除所述侧墙，以形成空腔；以辅助层填充所述空腔。一种半导体器件，所述半导体器件包括PMOS器件，所述PMOS器件包括：辅助层，所述辅助层形成于半导体基底上，所述辅助层环绕栅极及栅介质层或者环绕所述栅极且覆盖所述栅介质层；所述辅助层具有第一压应力及/或所述栅极具有第二压应力，以对形成于所述PMOS器件内的沟道区产生压应力。利于改善器件性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件包括PMOS器件，其特征在于，形成所述PMOS器件的步骤包括：形成栅堆叠结构，所述栅堆叠结构包括栅介质层、栅极和侧墙，所述栅介质层形成于半导体基底上，所述栅极形成于所述栅介质层上，所述侧墙环绕所述栅极及所述栅介质层或者环绕所述栅极且覆盖所述栅介质层；去除所述侧墙，以形成空腔；以辅助层填充所述空腔，所述辅助层具有第一压应力。