发明名称 一种薄膜体声波谐振器的制备方法
摘要 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法,该方法包括以下步骤:准备硅衬底,清洗、烘干;在硅衬底上淀积一层低应力Si3N4薄膜,涂抹光刻胶,光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si3N4;采用刻蚀窗口形成通孔并清除残余的光刻胶和Si3N4;使用牺牲材料填充通孔并抛光表面;于经抛光的表面上依次沉积下电极、压电薄膜、上电极的结构;释放牺牲层并干燥,制备薄膜体声波谐振器。本发明方法工艺简单,在衬底上制备出结构稳定、机械强度高及Q值高的薄膜体声波谐振器。
申请公布号 CN102315830A 申请公布日期 2012.01.11
申请号 CN201110104062.3 申请日期 2011.04.25
申请人 浙江大学 发明人 丁扣宝;刘世洁;何兴理;骆季奎
分类号 H03H3/02(2006.01)I 主分类号 H03H3/02(2006.01)I
代理机构 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人 胡红娟
主权项 一种薄膜体声波谐振器的制备方法,包括:(1)准备硅衬底,清洗、烘干;(2)在硅衬底上淀积一层低应力Si3N4膜,涂抹光刻胶,光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si3N4;(3)利用刻蚀窗口形成通孔并清除残余的光刻胶和Si3N4;(4)使用牺牲材料填充通孔并抛光表面;(5)于经抛光的表面上依次沉积下电极、压电薄膜、上电极;(6)释放牺牲层并干燥,制备薄膜体声波谐振器。
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