发明名称 | 一种薄膜体声波谐振器的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法,该方法包括以下步骤:准备硅衬底,清洗、烘干;在硅衬底上淀积一层低应力Si3N4薄膜,涂抹光刻胶,光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si3N4;采用刻蚀窗口形成通孔并清除残余的光刻胶和Si3N4;使用牺牲材料填充通孔并抛光表面;于经抛光的表面上依次沉积下电极、压电薄膜、上电极的结构;释放牺牲层并干燥,制备薄膜体声波谐振器。本发明方法工艺简单,在衬底上制备出结构稳定、机械强度高及Q值高的薄膜体声波谐振器。 | ||
申请公布号 | CN102315830A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
申请号 | CN201110104062.3 | 申请日期 | 2011.04.25 |
申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 丁扣宝;刘世洁;何兴理;骆季奎 |
分类号 | H03H3/02(2006.01)I | 主分类号 | H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
主权项 | 一种薄膜体声波谐振器的制备方法,包括:(1)准备硅衬底,清洗、烘干;(2)在硅衬底上淀积一层低应力Si3N4膜,涂抹光刻胶,光刻窗口图形并刻蚀掉窗口中的Si3N4;(3)利用刻蚀窗口形成通孔并清除残余的光刻胶和Si3N4;(4)使用牺牲材料填充通孔并抛光表面;(5)于经抛光的表面上依次沉积下电极、压电薄膜、上电极;(6)释放牺牲层并干燥,制备薄膜体声波谐振器。 | ||
地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |