大面积且尺寸可控的基于SU-8光刻胶的纳米流体通道制作方法

摘要

本发明公开一种大面积且尺寸可控的基于SU-8光刻胶的纳米流体通道制作方法，首先在石英片表面或者玻璃表面旋涂SU-8光刻胶，经烘烤形成石英基底或者玻璃基底，然后利用纳米压印方法将压印模板的结构复制到流体通道基底上，再以一定的θ角将二氧化硅沉积到流体通道基地上，当二氧化硅达到一定厚度，可以实现纳米流体通道的封闭，即实现大面积且尺寸可控的基于SU-8光刻胶的纳米流体通道制作。本发明方法相比于硅及其化合物材料，实现了制作材料的拓展，并且实现成本的降低和制作效率的提高；相比于聚合物材料，实现了通道尺寸的控制，从而有了制作方法的更新。

主权项

一种大面积且尺寸可控的基于SU‑8光刻胶的纳米流体通道制作方法，其特征在于如下步骤操作：a、在石英片表面或者玻璃表面旋涂SU‑8光刻胶(1)，经烘烤形成石英基底(2)或者玻璃基底(21)；b、在具有光栅线条的压印模板(3)，线条高度为h，在压印模板(3)的表面旋涂脱模剂后层压在所述石英基底(2)或者玻璃基底(21)上，预热使所述石英基底(2)或者玻璃基底(21)表面的SU‑8光刻胶(1)软化，向所述压印模板(3)施加压印压力，使所述压印模板(3)压入软化的SU‑8光刻胶(1)，保持压印压力20分钟后自然冷却，得到压印模板(3)、石英基底(2)以及SU‑8光刻胶(1)的结合体，或得到压印模板(3)、玻璃基底(21)以及SU‑8光刻胶(1)的结合体；c、对所述结合体中的SU‑8光刻胶(1)通过透光的石英基底(2)或者玻璃基底(21)进行紫外曝光，曝光后经烘烤使SU‑8光刻胶(1)固化，同时，压印模板(3)上的光栅结构复制在所述SU‑8光刻胶(1)上；经自然冷却后重新分离为压印模板(3)和表面粘附有SU‑8光刻胶(1)的石英基底(2)，或经自然冷却后重新分离为压印模板(3)和表面粘附有SU‑8光刻胶(1)的玻璃基底(21)；d、对SU‑8光刻胶(1)以一定角度θ的沉积二氧化硅(4)，当二氧化硅(4)的沉积厚度大于h/cosθ时，通道会封闭，此时通道的宽度w与二氧化硅的沉积角度有简单的数量关系w＝h*tan(θ)，改变二氧化硅的沉积角度θ，可以实现对通道宽度w的控制，即完成大面积且尺寸可控的基于SU‑8光刻胶的纳米流体通道制作。