| 发明名称 |
Wafer pretreatment to decrease the deposition rate of silicon dioxide on silicon nitride in comparison to its deposition rate on a silicon substrate |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1178528(B1) |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
| 申请号 |
EP20010306570 |
申请日期 |
2001.07.31 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
HERNER, SCOTT BRAD;HERNANDEZ, MANUEL ANSELMO |
| 分类号 |
C23C16/40;H01L21/316;H01L21/76;C23C16/02;H01L21/205;H01L21/3105;H01L21/762 |
主分类号 |
C23C16/40 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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