一种低粗糙度硅抛光片的加工方法

摘要

一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，该过程中顺序包括有粗抛过程、中抛过程和精抛过程，在精抛过程中，利用抛光布对硅单晶片进行抛光加工，在抛光布和硅单晶片表面之间引进精抛浆，精抛浆由纯水和活化剂组成。本发明加工的硅片的表面粗糙度可以提高到3-5，性能稳定，电阻率均匀。

主权项

一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，所述的利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程中顺序包括有一个粗抛的过程、一个中抛的过程和一个精抛的过程，其特征在于：在所述的精抛的过程中，利用抛光布对所述的硅单晶片进行抛光加工，在所述的抛光布和硅单晶片的表面之间引进精抛浆，所述的精抛浆由纯水和活化剂组成，所述的纯水和活化剂的重量百分比在1∶25～35之间，抛光加工在26～30摄氏度的温度条件下进行，精抛浆每分钟的流量为300～800ml，抛光机的转速为50～100rpm，抛光压力为0.10～0.16Mpa，抛光机中抛盘的转速为60～80rpm，抛光加工的时间为5～10min。