| 发明名称 | 氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，以及硅锭的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供即使在硅锭的拉晶的时间极为长的情况下也能有效地抑制内倾及压曲的氧化硅玻璃坩埚。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚用于单晶硅拉晶，所述坩埚的壁具有自该坩埚的内表面形成至外表面的气泡含有率不满0.5%的透明氧化硅玻璃层、气泡含有率是1%以上且不满50%的含气泡氧化硅玻璃层、气泡含有率是0.5%以上且不满1%，并且，OH基浓度是35ppm以上且不满300ppm的半透明氧化硅玻璃层。 | ||
| 申请公布号 | CN102312286A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201110173531.7 | 申请日期 | 2011.06.24 |
| 申请人 | 日本超精石英株式会社 | 发明人 | 须藤俊明;岸弘史;铃木江梨子 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种氧化硅玻璃坩埚，用于单晶硅拉晶，其特征在于：所述坩埚的壁具有自该坩埚的内表面形成至外表面的气泡含有率不满0.5%的透明氧化硅玻璃层、气泡含有率是1%以上且不满50%的含气泡氧化硅玻璃层、气泡含有率是0.5%以上且不满1%，并且，OH基浓度是35ppm以上且不满300ppm的半透明氧化硅玻璃层。 | ||
| 地址 | 日本秋田县秋田市茨岛５丁目14番3号 | ||