防止选择性外延掩模层底部切口形貌的结构和方法

摘要

本发明公开了一种防止选择性外延工艺在填充过程中在介质膜掩模层(Hard Mask)下面形成底部切口形貌(undercut)的结构，在沟槽形成后、选择性外延生长前形成具有不同厚度梯度的掩模层，并且该掩模层在靠近沟槽侧壁区域的厚度比远离沟槽侧壁区域的厚度更薄。此外，本发明还公开了实现这种结构的方法，通过本发明的特殊工艺方法在靠近沟槽的介质膜掩模层区域形成不同介质膜厚度的阶梯或者渐变结构，较薄层会在选择性外延过程全部消耗，最终防止底部切口形貌形成。本发明在不改变外延填充条件的情况下，用有效简单的方法避免掩模层下切口形貌的产生，同时不影响后续工艺步骤的实现。

主权项

一种防止选择性外延掩模层底部切口形貌的结构，其特征在于，在沟槽形成后、选择性外延生长前形成具有不同厚度梯度的掩模层，并且该掩模层在靠近沟槽侧壁区域的厚度比远离沟槽侧壁区域的厚度更薄。