一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法

摘要

本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法。Hf基高K材料干法刻蚀的主要问题是卤素基刻蚀产物的挥发性差以及对硅衬底的选择比低。由于BCl3气体不仅可以刻蚀金属氧化物，还可以与Si衬底反应生成Si-B键，增加高K对Si衬底的选择比。所以，对于HfSiAlON高K材料的干法刻蚀，采用BCl3基刻蚀气体并通过优化电极功率、压强、刻蚀气体的成分、腔体和电极的温度等参数得到可以应用于CMOS器件制备中的干法刻蚀工艺。

主权项

一种HfSiAlON高K介质的干法刻蚀方法，其特征在于，该方法是在Si衬底/SiO2界面层上形成HfSiAlON高K栅介质层并进行快速热退火处理后，采用BCl3基刻蚀气体对HfSiAlON高K栅介质进行高选择比去除。