| 发明名称 | 高频晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：步骤1、在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；步骤2、在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区；本发明的有益效果是：降低了注入工艺难度，并且采用低能量AS注入在硅中形成的发射结具有更好的均匀性，同时也减少了硅表面的损伤，改进了高频晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102315121A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010217830.1 | 申请日期 | 2010.07.02 |
| 申请人 | 上海镭芯微电子有限公司 | 发明人 | 叶丹阳 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 胡美强 |
| 主权项 | 一种高频晶体管的制造方法，是通过以下步骤实现的：步骤1、在淀积多晶硅之前，先进行一次砷注入，形成超浅结发射区；步骤2、在已形成的发射区基础上，淀积多晶硅，进行第二次砷注入，形成多晶扩展发射区。 | ||
| 地址 | 200000 上海市江场西路395号101-8室 | ||