| 发明名称 | 寄生晶闸管以及静电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种寄生晶闸管以及静电保护电路，所述寄生晶闸管包括：半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于N阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间N阱内的N型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧N阱内的P型注入区；位于第一伪栅另一侧P阱内的N型注入区；还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。本发明所述寄生晶闸管，导通电路形成于半导体衬底的表面区域内，因此路径较短，开启速度较快，且通过N型触发电压调整区外接触发电压调整电路，而具有调整降低触发电压的功能。 | ||
| 申请公布号 | CN102315259A | 申请公布日期 | 2012.01.11 |
| 申请号 | CN201010221862.9 | 申请日期 | 2010.06.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 单毅;陈晓杰 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种寄生晶闸管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底内且相邻的N阱以及P阱；位于半导体衬底表面且横跨于N阱以及P阱的第一伪栅；位于N阱表面的第二伪栅；位于第一伪栅以及第二伪栅之间N阱内的N型触发电压调整区；位于第二伪栅相对于N型触发电压调整区另一侧N阱内的P型注入区；位于第一伪栅另一侧P阱内的N型注入区；还包括阳极，连接至P型注入区以及N阱；阴极，连接至N型注入区以及P阱。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||