发明名称 |
氮化物发光二极管结构 |
摘要 |
氮化物发光二极管结构,涉及光电技术领域。本实用新型包括衬底、形成于衬底上的低温缓冲层和发光半导体结构。所述发光半导体结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层,P型半导体层的上方为透明导电层。透明导电层上的一端置有P型电极,N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是,所述低温缓冲层和N型半导体层之间不设置非掺杂化合物半导体层。本实用新型的外延结构中不设置非掺杂化合物半导体层,使器件的厚度大大降低,减小了外延片产生翘曲的几率,提高了外延片的良率,并能有效提高外延片的生长效率,提高设备的产能。 |
申请公布号 |
CN202111149U |
申请公布日期 |
2012.01.11 |
申请号 |
CN201120107283.1 |
申请日期 |
2011.04.13 |
申请人 |
南通同方半导体有限公司 |
发明人 |
李志翔;吴东海 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
氮化物发光二极管结构,它包括衬底(20)、形成于衬底(20)上的低温缓冲层(21)和发光半导体结构,所述发光半导体结构包括N型半导体层(22)、发光层(23)和P型半导体层(24),P型半导体层(24)的上方为透明导电层(25),透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262),N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261);其特征在于,所述低温缓冲层(21)和N型半导体层(22)之间不设置非掺杂化合物半导体层。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华同方科技广场A座29层 |