Ⅲ族氮化物半导体激光器及Ⅲ族氮化物半导体激光器的制作方法

摘要

本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。

主权项

一种III族氮化物半导体激光器，其特征在于，包括：半导体衬底，包含六方晶系的III族氮化物半导体，且具有相对于与该III族氮化物半导体的c轴方向的基准轴正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角向该III族氮化物半导体的a轴方向和m轴方向中的任意一个方向倾斜的主面；第一覆层，设置在所述半导体衬底的所述主面上、并且包含第一导电型氮化镓基半导体；第二覆层，设置在所述半导体衬底的所述主面上、并且包含第二导电型氮化镓基半导体；和有源层，设置在所述第一覆层与所述第二覆层之间，且所述有源层中的波导方向朝向a轴方向和m轴方向中的任意另一方向，在包含朝向所述波导方向的X1轴、与该X1轴正交的X2轴以及与所述X1轴和X2轴正交的X3轴的正交坐标系中，所述第一覆层、所述有源层和所述第二覆层沿所述X3轴的方向排列，所述有源层具有多量子阱结构，所述多量子阱结构包含沿所述X3轴的方向交替排列的阱层和势垒层，所述阱层包含InGaN，所述势垒层包含GaN或InGaN，所述多量子阱结构以通过所述阱层与所述势垒层的带隙能量差和所述阱层的厚度的至少任意一者使该III族氮化物半导体激光器的LED模式下的偏振度P为‑1以上且0.1以下的方式进行设置，所述偏振度P使用所述LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1‑I2)/(I1+I2)进行规定。